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SSDI发布密封、高压氮化镓(GaN)功率场效应晶体管

 

    SSDI自豪地介绍了其应用于航天与国防领域的密封、高压氮化镓(GaN)功率场效应晶体管产品。46 A/700 V的氮化镓(GaN)场效应晶体管SGF46E70,具有极低的导通电阻Low RDS(ON) MAX of 41mΩ(@30A),极低的栅极电荷Low QG MAX of 36nC(@32A), 并可提供TO-254和SMD1两种封装供设计师选择。15A/1000V的氮化镓(GaN)场效应晶体管SGF15E100,同样具有极低的导通电阻Low RDS(ON) MAX of 205mΩ(@10A)和极低的栅极电荷Low QG TYP of 10nC(@10A),目前只提供TO-257的封装。这两个系列产品都是结合GaN HEMT和低压硅MOSFET驱动器的共源共栅器件,以获得优异的性能。


    氮化镓(GaN)产品由于其改进的品质因数(RDS(ON) & QG)而备受关注,与传统的硅MOSFET相比,它可实现更快的开关速度。由于具备比硅MOSFET更低的导通损耗和较差损耗,电路设计者可以通过切换到GaN产品来获得更高的效率。 SSDI的高压氮化镓(GaN)功率场效应晶体管可用于多种应用,包括高效DC-DC / PoL转换器、电机控制器和机器人/自动化技术等。


    虽然低压、非密封氮化镓(GaN)产品已被广泛用于商业应用,但SSDI毅然专注于航天和国防应用的密封、大功率/高压解决方案。依托于50年以上的高可靠性产品研发经验,SSDI的研发制造团队也可根据客户特定的要求提供定制化的密封、高效的氮化镓(GaN)产品解决方案。

 

 

 

 

 

 

 

 

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