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SSDI发布了新的1200V SiC功率MOSFET——SFC35N120




SSDI发布了新的1200V SiC功率MOSFET——SFC35N120。这一增强型 N沟道MOSFET提供的最大持续漏电流为26-30A低RDS(ON) 为96 mΩ max (@ 20 A, 25°C)。SFC35N120的低栅电荷为65 nC max ,这也使得它比传统的MOSFET更具优势

当SiC MOSFET用于替代MOSFET可以提高开关应用的效率。SFC35N120拥有小于30ns(典型值)的开关切换速度150°C时,该产品的导通电阻最大值仅为190mΩ,其显示出优异的高温性能,可支持较小的设备,便于并行配置,并减少热管理硬件如风扇散热器

由于碳化硅具有比硅更高的临界击穿场,因此SiC MOSFET可以更小的封装中达到与硅MOSFET相同的额定电压。SFC35N120的封装有TO-257SMD.5Cerpack三种可供工程师选择。这些密封的产品适用于高可靠性航空航天和国防应用,如高压DC-DC转换器和PFC升压转换器




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